IRF7389PBF

制造商编号:
IRF7389PBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
规格说明书:
IRF7389PBF说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 管件
零件状态: Digi-Key 停止提供
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 29 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 33nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 650pF @ 25V
功率 - 最大值: 2.5W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
标准包装: 3,800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
SP8M10FRATB Rohm Semiconductor ¥11.90000 类似
DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated ¥6.30000 类似

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型号:IRF7389PBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

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