库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥17.807682 | ￥53423.05 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | PowerTrench® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10.4A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 9.9m옴 @ 10.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 31nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2230pF @ 50V |
| 功率 - 最大值: | 2.2W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装: | Power56 |
| 标准包装: | 3,000 |
FDMD85100
型号：FDMD85100
品牌：ON安森美
描述：MOSFET 2N-CH 100V
库存：0
单价：
| 3000+： | ￥17.807682 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00