货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥66.875586 | ¥66.88 |
10 | ¥60.401181 | ¥604.01 |
100 | ¥50.003948 | ¥5000.39 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | MDmesh™ V |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 27A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 98 毫欧 @ 13.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 83 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3750 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 160W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D2PAK |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 1,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
STB38N65M5 | STMicroelectronics | ¥70.42000 | 直接 |
STB35N65M5
型号:STB35N65M5
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
库存:0
单价:
1+: | ¥66.875586 |
10+: | ¥60.401181 |
100+: | ¥50.003948 |
500+: | ¥44.691631 |
1000+: | ¥44.691711 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥66.88