SIZ730DT-T1-GE3

制造商编号:
SIZ730DT-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
规格说明书:
SIZ730DT-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 7.260908 7.26
10 5.987685 59.88
100 5.247004 524.70

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A,35A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.3 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 830pF @ 15V
功率 - 最大值: 27W,48W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-PowerPair™
供应商器件封装: 6-PowerPair™
标准包装: 3,000

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SIZ730DT-T1-GE3

型号:SIZ730DT-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

库存:0

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1+: ¥7.260908
10+: ¥5.987685
100+: ¥5.247004

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