库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.935243 | ￥15.94 |
| 10 | ￥14.285865 | ￥142.86 |
| 100 | ￥11.485799 | ￥1148.58 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | EPC |
| 系列: | eGaN® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能: | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.7A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 70 毫欧 @ 2A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 600µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 0.73nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 75pF @ 50V |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 供应商器件封装: | 模具 |
| 标准包装: | 2,500 |
EPC2106
型号：EPC2106
品牌：EPC
描述：GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
库存：0
单价：
| 1+： | ￥15.935243 |
| 10+： | ￥14.285865 |
| 100+： | ￥11.485799 |
| 500+： | ￥9.436513 |
| 1000+： | ￥7.818824 |
| 2500+： | ￥7.353134 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.94