货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥6.394615 | ¥6.39 |
10 | ¥5.654845 | ¥56.55 |
100 | ¥4.33409 | ¥433.41 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 105 毫欧 @ 2.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA(最小) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 3.2nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | - |
功率 - 最大值: | 1.15W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装: | 6-TSOP |
标准包装: | 3,000 |
SI3552DV-T1-E3
型号:SI3552DV-T1-E3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
库存:0
单价:
1+: | ¥6.394615 |
10+: | ¥5.654845 |
100+: | ¥4.33409 |
500+: | ¥3.426168 |
1000+: | ¥2.740896 |
3000+: | ¥2.569609 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.39