SI9933CDY-T1-E3

制造商编号:
SI9933CDY-T1-E3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
规格说明书:
SI9933CDY-T1-E3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.30382 6.30
10 5.547859 55.48
100 4.252157 425.22

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 58 毫欧 @ 4.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 26nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 665pF @ 10V
功率 - 最大值: 3.1W
工作温度: -50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRF7314TRPBF Infineon Technologies ¥8.14000 类似

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SI9933CDY-T1-E3

型号:SI9933CDY-T1-E3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

库存:0

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1+: ¥6.30382
10+: ¥5.547859
100+: ¥4.252157
500+: ¥3.361217
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