库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.103078 | ￥4.10 |
| 10 | ￥3.064875 | ￥30.65 |
| 100 | ￥1.733115 | ￥173.31 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1): | 10 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2): | 10 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 30 @ 5mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 300mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 500nA |
| 频率 - 跃迁: | 250MHz |
| 功率 - 最大值: | 200mW |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装: | SOT-363 |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RN2962(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥3.76000 | 类似 |
| NSVMUN5111DW1T3G | onsemi | ¥3.15000 | 类似 |
| PUMB11,115 | Nexperia USA Inc. | ¥3.00000 | 类似 |
| MUN5111DW1T1G | onsemi | ¥2.00000 | 类似 |
| BCR183SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | ¥0.38255 | 类似 |
DDA114EU-7-F
型号：DDA114EU-7-F
品牌：Diodes美台
描述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.103078 |
| 10+： | ￥3.064875 |
| 100+： | ￥1.733115 |
| 500+： | ￥1.147743 |
| 1000+： | ￥0.879998 |
| 3000+： | ￥0.765187 |
| 6000+： | ￥0.688658 |
| 15000+： | ￥0.612142 |
| 30000+： | ￥0.573884 |
| 75000+： | ￥0.541407 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.10