货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥18.990068 | ¥18.99 |
10 | ¥17.09562 | ¥170.96 |
100 | ¥13.739872 | ¥1373.99 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Nexperia(安世) |
系列: | TrenchMOS™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 75A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 15 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 90 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4900 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 300W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D2PAK |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 800 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IPB144N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | ¥17.97000 | 类似 |
FQB44N10TM | onsemi | ¥14.67000 | 类似 |
FDB150N10 | onsemi | ¥32.02000 | 类似 |
NVB6411ANT4G | onsemi | ¥10.07379 | 类似 |
IPB70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | ¥20.04000 | 类似 |
PSMN015-100B,118
型号:PSMN015-100B,118
品牌:Nexperia安世
描述:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
库存:0
单价:
1+: | ¥18.990068 |
10+: | ¥17.09562 |
100+: | ¥13.739872 |
800+: | ¥11.288478 |
1600+: | ¥9.675827 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥18.99