FDME910PZT

制造商编号:
FDME910PZT
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET
规格说明书:
FDME910PZT说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 @ 8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2110 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.1W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: MicroFet 1.6x1.6 薄型
封装/外壳: 6-PowerUFDFN
标准包装: 5,000

客服

购物车

FDME910PZT

型号:FDME910PZT

品牌:ON安森美

描述:MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00