库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.264814 | ￥11.26 |
| 10 | ￥10.035134 | ￥100.35 |
| 100 | ￥7.826932 | ￥782.69 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11A，28A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 24 毫欧 @ 9.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 12nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 400pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 16.7W，31W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装: | 8-PowerPair® |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| HS8K11TB | Rohm Semiconductor | ¥5.15000 | 类似 |
SIZ300DT-T1-GE3
型号：SIZ300DT-T1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
库存：0
单价：
| 1+： | ￥11.264814 |
| 10+： | ￥10.035134 |
| 100+： | ￥7.826932 |
| 500+： | ￥6.465904 |
| 1000+： | ￥5.104652 |
| 3000+： | ￥5.104652 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.26