库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.555661 | ￥25.56 |
| 10 | ￥22.96134 | ￥229.61 |
| 100 | ￥18.812591 | ￥1881.26 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | Ultra X2 |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 500 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 12 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 800 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 150W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-252AA |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装: | 70 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STD10NM60N | STMicroelectronics | ¥22.73000 | 类似 |
| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | ¥7.76000 | 类似 |
| SPD07N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | ¥24.19000 | 类似 |
| STD12N65M2 | STMicroelectronics | ¥14.67000 | 类似 |
| STD11NM65N | STMicroelectronics | ¥27.65000 | 类似 |
IXTY8N65X2
型号：IXTY8N65X2
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET N-CH 650V 8A TO252
库存：0
单价：
| 1+： | ￥25.555661 |
| 10+： | ￥22.96134 |
| 100+： | ￥18.812591 |
| 500+： | ￥16.0146 |
| 1000+： | ￥13.506384 |
| 2000+： | ￥13.155546 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.56