- 制造商编号：
- TK12A60D(STA4,Q,M)
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
- 规格说明书：
- TK12A60D(STA4,Q,M)说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 50 | ￥25.629318 | ￥1281.47 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | π-MOSVII |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 550 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 38 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1800 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 45W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220SIS |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STF10NM60N | STMicroelectronics | ¥23.27000 | 类似 |
| R6009ENX | Rohm Semiconductor | ¥24.88000 | 类似 |
| R6009KNX | Rohm Semiconductor | ¥13.98000 | 类似 |
| STFU13N80K5 | STMicroelectronics | ¥31.49000 | 类似 |
| STF10NM60ND | STMicroelectronics | ¥17.36000 | 类似 |
TK12A60D(STA4,Q,M)
型号：TK12A60D(STA4,Q,M)
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
库存：0
单价：
| 50+： | ￥25.629318 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00