货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥201.071304 | ¥201.07 |
10 | ¥185.456362 | ¥1854.56 |
100 | ¥158.363713 | ¥15836.37 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Transphorm |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
包装: | 管件 |
零件状态: | 不适用于新设计 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | GaNFET(氮化镓) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 35A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 62 毫欧 @ 22A,8V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.6V @ 700µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 42 nC @ 8 V |
Vgs(最大值): | ±18V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2200 pF @ 400 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 125W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-247-3 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
标准包装: | 30 |
TPH3205WSBQA
型号:TPH3205WSBQA
品牌:Transphorm
描述:GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
库存:0
单价:
1+: | ¥201.071304 |
10+: | ¥185.456362 |
100+: | ¥158.363713 |
500+: | ¥143.77786 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥201.07