货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥13.222376 | ¥13.22 |
10 | ¥11.852264 | ¥118.52 |
100 | ¥9.241301 | ¥924.13 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | OptiMOS™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 13 毫欧 @ 11.7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.2V @ 140µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 81 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3520 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.56W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-DSO-8 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装: | 2,500 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
DMG4407SSS-13 | Diodes Incorporated | ¥5.38000 | 类似 |
RRH090P03GZETB | Rohm Semiconductor | ¥11.21000 | 类似 |
BSO130P03SHXUMA1
型号:BSO130P03SHXUMA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
库存:0
单价:
1+: | ¥13.222376 |
10+: | ¥11.852264 |
100+: | ¥9.241301 |
500+: | ¥7.634121 |
1000+: | ¥6.696598 |
2500+: | ¥6.696598 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.22