BZD27B51P-M3-08

制造商编号:
BZD27B51P-M3-08
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE ZENER 51V 800MW DO219AB
规格说明书:
BZD27B51P-M3-08说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.302015 4.30
10 3.456532 34.57
100 2.352804 235.28

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: BZD27B-M
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 51 V
容差: -
功率 - 最大值: 800 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 39 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-219AB
供应商器件封装: DO-219AB(SMF)
标准包装: 3,000

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BZD27B51P-M3-08

型号:BZD27B51P-M3-08

品牌:Vishay威世

描述:DIODE ZENER 51V 800MW DO219AB

库存:0

单价:

1+: ¥4.302015
10+: ¥3.456532
100+: ¥2.352804
500+: ¥1.764647
1000+: ¥1.323479
3000+: ¥1.213193
6000+: ¥1.139661
15000+: ¥1.102895

货期:1-2天

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