库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | NXP(恩智浦) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 300mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 250mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DFN1006-3 |
| 封装/外壳: | 3-XFDFN |
| 标准包装: | 10,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| CEDM7002AE TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | ¥3.07000 | 类似 |
2N7002PM,315
型号：2N7002PM,315
品牌：NXP恩智浦
描述：MOSFET N-CH 60V 300MA DFN1006-3
库存：0
单价：
货期：1-2天
+ -
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