MDI100-12A3

制造商编号:
MDI100-12A3
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5
规格说明书:
MDI100-12A3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装:

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 569.755912 569.76
10 535.244051 5352.44
100 488.654594 48865.46

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装:
零件状态: 在售
IGBT 类型: NPT
配置: 单路
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 135 A
功率 - 最大值: 560 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.7V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 5.5 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: Y4-M5
供应商器件封装: Y4-M5
标准包装: 6

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MDI100-12A3

型号:MDI100-12A3

品牌:IXYS艾赛斯

描述:IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5

库存:0

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1+: ¥569.755912
10+: ¥535.244051
100+: ¥488.654594

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