货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 管件 |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 150 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 13A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 295 毫欧 @ 6.6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 66 nC @ 10 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 860 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 110W(Tc) |
工作温度: | - |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D-Pak |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装: | 75 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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IXTY15P15T | IXYS | ¥31.18000 | 类似 |
FQD5P10TM | onsemi | ¥5.45000 | 类似 |
IRFR6215CPBF
型号:IRFR6215CPBF
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00