SQJ200EP-T1_GE3

制造商编号:
SQJ200EP-T1_GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
规格说明书:
SQJ200EP-T1_GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 12.122731 12.12
10 10.799799 108.00
100 8.418895 841.89

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A,60A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.8 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 975pF @ 10V
功率 - 最大值: 27W,48W
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 双通道不对称
标准包装: 3,000

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SQJ200EP-T1_GE3

型号:SQJ200EP-T1_GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

库存:0

单价:

1+: ¥12.122731
10+: ¥10.799799
100+: ¥8.418895
500+: ¥6.954792
1000+: ¥5.490602
3000+: ¥5.490665

货期:1-2天

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