货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥12.122731 | ¥12.12 |
10 | ¥10.799799 | ¥108.00 |
100 | ¥8.418895 | ¥841.89 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Vishay(威世) |
系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A,60A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 8.8 毫欧 @ 16A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 18nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 975pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 27W,48W |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | PowerPAK® SO-8 双 |
供应商器件封装: | PowerPAK® SO-8 双通道不对称 |
标准包装: | 3,000 |
SQJ200EP-T1_GE3
型号:SQJ200EP-T1_GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
库存:0
单价:
1+: | ¥12.122731 |
10+: | ¥10.799799 |
100+: | ¥8.418895 |
500+: | ¥6.954792 |
1000+: | ¥5.490602 |
3000+: | ¥5.490665 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.12