TK20J60W,S1VE

制造商编号:
TK20J60W,S1VE
制造商:
Toshiba东芝
描述:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
规格说明书:
TK20J60W,S1VE说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 44.648316 44.65
10 40.111673 401.12
100 32.861024 3286.10

规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 155 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.7V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 48 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1680 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 165W(Tc)
工作温度: 150°C
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-3P(N)
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
标准包装: 25

客服

购物车

TK20J60W,S1VE

型号:TK20J60W,S1VE

品牌:Toshiba东芝

描述:X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

库存:0

单价:

1+: ¥44.648316
10+: ¥40.111673
100+: ¥32.861024
500+: ¥27.973646
1000+: ¥23.59223
2000+: ¥22.979452

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥44.65