货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥44.648316 | ¥44.65 |
10 | ¥40.111673 | ¥401.12 |
100 | ¥32.861024 | ¥3286.10 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 155 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.7V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 48 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1680 pF @ 300 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 165W(Tc) |
工作温度: | 150°C |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-3P(N) |
封装/外壳: | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装: | 25 |
TK20J60W,S1VE
型号:TK20J60W,S1VE
品牌:Toshiba东芝
描述:X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
库存:0
单价:
1+: | ¥44.648316 |
10+: | ¥40.111673 |
100+: | ¥32.861024 |
500+: | ¥27.973646 |
1000+: | ¥23.59223 |
2000+: | ¥22.979452 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥44.65