货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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300 | ¥48.129442 | ¥14438.83 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | HiPerFET™, Ultra X |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 850 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 14A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 550 毫欧 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 30 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1043 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 460W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-263(IXFA) |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 50 |
IXFA14N85XHV
型号:IXFA14N85XHV
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 850V 14A TO263
库存:0
单价:
300+: | ¥48.129442 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00