货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥27.493423 | ¥27.49 |
10 | ¥24.695067 | ¥246.95 |
100 | ¥19.84633 | ¥1984.63 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 250 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.1A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 155 毫欧 @ 3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 50 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.56W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装: | 2,500 |
SI4434DY-T1-GE3
型号:SI4434DY-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
库存:0
单价:
1+: | ¥27.493423 |
10+: | ¥24.695067 |
100+: | ¥19.84633 |
500+: | ¥16.305697 |
1000+: | ¥13.976234 |
2500+: | ¥13.976234 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥27.49