GI828-E3/54

制造商编号:
GI828-E3/54
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 800V 5A P600
规格说明书:
GI828-E3/54说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 800 V
电流 - 平均整流 (Io): 5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 5 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 200 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 800 V
不同 Vr、F 时电容: 300pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: P600,轴向
供应商器件封装: P600
工作温度 - 结: -50°C ~ 150°C
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N5554 Microchip Technology ¥66.66000 类似

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型号:GI828-E3/54

品牌:Vishay威世

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