货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥99.107986 | ¥99.11 |
10 | ¥89.526677 | ¥895.27 |
25 | ¥85.360437 | ¥2134.01 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | SiCFET(碳化硅) |
漏源电压(Vdss): | 1200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 20V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 690 毫欧 @ 6A,20V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 22 nC @ 20 V |
Vgs(最大值): | +25V,-10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 290 pF @ 400 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 150W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 200°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | H2Pak-2 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 1,000 |
SCT10N120H
型号:SCT10N120H
品牌:ST意法半导体
描述:SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
库存:0
单价:
1+: | ¥99.107986 |
10+: | ¥89.526677 |
25+: | ¥85.360437 |
100+: | ¥74.118749 |
250+: | ¥70.787596 |
500+: | ¥68.744761 |
1000+: | ¥68.744773 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥99.11