货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥8.491957 | ¥8.49 |
10 | ¥7.265468 | ¥72.65 |
100 | ¥6.149773 | ¥614.98 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | OptiMOS™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 25 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 80A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3.9 毫欧 @ 55A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V @ 60µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 32 nC @ 5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3877 pF @ 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 107W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TO263-3-2 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 1,000 |
IPB04N03LA
型号:IPB04N03LA
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
库存:0
单价:
1+: | ¥8.491957 |
10+: | ¥7.265468 |
100+: | ¥6.149773 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.49