STD86N3LH5

制造商编号:
STD86N3LH5
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
规格说明书:
STD86N3LH5说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 14.609445 14.61
10 13.100009 131.00
100 10.211194 1021.12

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1850 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 70W(Tc)
工作温度: 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
NTD4805NT4G onsemi ¥3.12179 类似
NTD4804NT4G onsemi ¥12.59000 类似

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STD86N3LH5

型号:STD86N3LH5

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

库存:0

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1+: ¥14.609445
10+: ¥13.100009
100+: ¥10.211194
500+: ¥8.43558
1000+: ¥7.06325
2500+: ¥7.063287

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