BVSS123LT1G

制造商编号:
BVSS123LT1G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
规格说明书:
BVSS123LT1G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.488519 4.49
10 3.332197 33.32
100 1.888659 188.87

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.8V @ 1mA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 225mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies ¥3.69000 类似

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BVSS123LT1G

型号:BVSS123LT1G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

库存:0

单价:

1+: ¥4.488519
10+: ¥3.332197
100+: ¥1.888659
500+: ¥1.250867
1000+: ¥0.959051
3000+: ¥0.833969
6000+: ¥0.750577

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