2N7002-T1-GE3

制造商编号:
2N7002-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
规格说明书:
2N7002-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.103078 4.10
10 3.542324 35.42
100 2.646858 264.69

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 115mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 200mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-236
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

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2N7002-T1-GE3

型号:2N7002-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 60V 115MA TO236

库存:0

单价:

1+: ¥4.103078
10+: ¥3.542324
100+: ¥2.646858
500+: ¥2.079664
1000+: ¥1.607026
3000+: ¥1.465222
6000+: ¥1.417962

货期:1-2天

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