库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥45.959155 | ￥45.96 |
| 10 | ￥41.248114 | ￥412.48 |
| 100 | ￥33.798103 | ￥3379.81 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | DTMOSVI |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 99 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 1.27mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 47 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2780 pF @ 300 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 230W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 5-DFN（8x8） |
| 封装/外壳: | 4-VSFN 裸露焊盘 |
| 标准包装: | 2,500 |
TK099V65Z,LQ
型号：TK099V65Z,LQ
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥45.959155 |
| 10+： | ￥41.248114 |
| 100+： | ￥33.798103 |
| 500+： | ￥28.771753 |
| 1000+： | ￥24.265328 |
| 2500+： | ￥23.635065 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥45.96