货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥45.959155 | ¥45.96 |
10 | ¥41.248114 | ¥412.48 |
100 | ¥33.798103 | ¥3379.81 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | DTMOSVI |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 99 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 1.27mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 47 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2780 pF @ 300 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 230W(Tc) |
工作温度: | 150°C |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 5-DFN(8x8) |
封装/外壳: | 4-VSFN 裸露焊盘 |
标准包装: | 2,500 |
TK099V65Z,LQ
型号:TK099V65Z,LQ
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
库存:0
单价:
1+: | ¥45.959155 |
10+: | ¥41.248114 |
100+: | ¥33.798103 |
500+: | ¥28.771753 |
1000+: | ¥24.265328 |
2500+: | ¥23.635065 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥45.96