TK2Q60D(Q)

制造商编号:
TK2Q60D(Q)
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2
规格说明书:
TK2Q60D(Q)说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
200 6.351192 1270.24

规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: π-MOSVII
包装: 散装
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.3 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 280 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 60W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PW-MOLD2
封装/外壳: TO-251-3 短截引线,IPak
标准包装: 200

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRFUC20PBF Vishay Siliconix ¥11.83000 类似

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TK2Q60D(Q)

型号:TK2Q60D(Q)

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2

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