库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.422941 | ￥14.42 |
| 1500 | ￥6.536937 | ￥9805.41 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 最后售卖 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 6.7 毫欧 @ 12A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 56 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 5000 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 840mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 标准包装: | 1,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RQ3C150BCTB | Rohm Semiconductor | ¥8.29000 | 类似 |
NTTFS3A08PZTAG
型号：NTTFS3A08PZTAG
品牌：ON安森美
描述：MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥14.422941 |
| 1500+： | ￥6.536937 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.42