NTGD3148NT1G

制造商编号:
NTGD3148NT1G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
规格说明书:
NTGD3148NT1G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.873959 4.87
10 4.154056 41.54
100 3.09944 309.94

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 70 毫欧 @ 3.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 300pF @ 10V
功率 - 最大值: 900mW
工作温度: -50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: 6-TSOP
标准包装: 3,000

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NTGD3148NT1G

型号:NTGD3148NT1G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

库存:0

单价:

1+: ¥4.873959
10+: ¥4.154056
100+: ¥3.09944
500+: ¥2.435463
1000+: ¥1.88202
3000+: ¥1.761228

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥4.87