货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥16.99669 | ¥17.00 |
10 | ¥15.305725 | ¥153.06 |
100 | ¥12.301401 | ¥1230.14 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | PowerMESH™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | - |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 600 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 20 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 30 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2.5V @ 15V,5A |
功率 - 最大值: | 65 W |
开关能量: | 31.8µJ(开),95µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 19.2 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 14.2ns/72ns |
测试条件: | 390V,5A,10欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 22 ns |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
供应商器件封装: | D2PAK |
标准包装: | 1,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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IGB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | ¥13.52000 | 类似 |
STGB10NC60HDT4
型号:STGB10NC60HDT4
品牌:ST意法半导体
描述:IGBT 600V 20A 65W D2PAK
库存:0
单价:
1+: | ¥16.99669 |
10+: | ¥15.305725 |
100+: | ¥12.301401 |
500+: | ¥10.106752 |
1000+: | ¥9.534708 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.00