STGB10NC60HDT4

制造商编号:
STGB10NC60HDT4
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 600V 20A 65W D2PAK
规格说明书:
STGB10NC60HDT4说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.99669 17.00
10 15.305725 153.06
100 12.301401 1230.14

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: PowerMESH™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 30 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V @ 15V,5A
功率 - 最大值: 65 W
开关能量: 31.8µJ(开),95µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 19.2 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 14.2ns/72ns
测试条件: 390V,5A,10欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 22 ns
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: D2PAK
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies ¥13.52000 类似

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型号:STGB10NC60HDT4

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT 600V 20A 65W D2PAK

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1+: ¥16.99669
10+: ¥15.305725
100+: ¥12.301401
500+: ¥10.106752
1000+: ¥9.534708

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