STW11NK100Z

制造商编号:
STW11NK100Z
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
规格说明书:
STW11NK100Z说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 61.187685 61.19
10 55.236476 552.36
100 45.730385 4573.04

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: SuperMESH™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.38 欧姆 @ 4.15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 162 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3500 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 230W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

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STW11NK100Z

型号:STW11NK100Z

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3

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1+: ¥61.187685
10+: ¥55.236476
100+: ¥45.730385
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