ALD110908ASAL

制造商编号:
ALD110908ASAL
制造商:
Advanced Linear Devices
描述:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
规格说明书:
ALD110908ASAL说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 58.723751 58.72
10 52.745691 527.46
100 43.216727 4321.67

规格参数

属性 参数值
制造商: Advanced Linear Devices
系列: EPAD®
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N 沟道(双)配对
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 10.6V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12mA,3mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 500 欧姆 @ 4.8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 810mV @ 1µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2.5pF @ 5V
功率 - 最大值: 500mW
工作温度: 0°C ~ 70°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
标准包装: 50

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ALD110908ASAL

型号:ALD110908ASAL

品牌:Advanced Linear Devices

描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

库存:0

单价:

1+: ¥58.723751
10+: ¥52.745691
100+: ¥43.216727
500+: ¥36.789218
1000+: ¥31.027054
2000+: ¥30.22116

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥58.72