库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.731876 | ￥5.73 |
| 10 | ￥4.898827 | ￥48.99 |
| 100 | ￥3.655221 | ￥365.52 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 31 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 850mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 12 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±8V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 750mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RUR040N02TL | Rohm Semiconductor | ¥4.76000 | 类似 |
| AO3420 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥3.53000 | 类似 |
| PMV30UN2R | Nexperia USA Inc. | ¥3.61000 | 类似 |
SI2312BDS-T1-GE3
型号：SI2312BDS-T1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥5.731876 |
| 10+： | ￥4.898827 |
| 100+： | ￥3.655221 |
| 500+： | ￥2.872204 |
| 1000+： | ￥2.219467 |
| 3000+： | ￥2.023626 |
| 6000+： | ￥1.958362 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.73