库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| 二极管类型: | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 350 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 10A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.5 V @ 10 A |
| 速度: | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr): | 30 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 10 µA @ 350 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 供应商器件封装: | CPD |
| 工作温度 - 结: | 150°C（最大） |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| VS-8EWF04S-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ¥27.34000 | 类似 |
RFN10B3STL
型号：RFN10B3STL
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
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货期：1-2天
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