AUIRFN8459TR

制造商编号:
AUIRFN8459TR
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN
规格说明书:
AUIRFN8459TR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 26.160231 26.16
10 23.528045 235.28
100 18.910714 1891.07

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.9 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2250pF @ 25V
功率 - 最大值: 50W
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PQFN(5x6)
标准包装: 4,000

客服

购物车

AUIRFN8459TR

型号:AUIRFN8459TR

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN

库存:0

单价:

1+: ¥26.160231
10+: ¥23.528045
100+: ¥18.910714
500+: ¥15.536865
1000+: ¥14.797018
4000+: ¥14.797018

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥26.16