FDS6673BZ

制造商编号:
FDS6673BZ
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
规格说明书:
FDS6673BZ说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 12.122731 12.12
10 10.828396 108.28
100 8.440902 844.09

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.8 毫欧 @ 14.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 124 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4700 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RRH140P03TB1 Rohm Semiconductor ¥19.58000 类似

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型号:FDS6673BZ

品牌:ON安森美

描述:MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC

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10+: ¥10.828396
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