GI858-E3/54

制造商编号:
GI858-E3/54
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
规格说明书:
GI858-E3/54说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 800 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 3 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 200 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 800 V
不同 Vr、F 时电容: 28pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AD,轴向
供应商器件封装: DO-201AD
工作温度 - 结: -50°C ~ 150°C
标准包装: 1,400

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N5407RLG onsemi ¥3.38000 类似
1N5408RLG onsemi ¥3.30000 类似
1N5408G-T Diodes Incorporated ¥3.07000 类似
1N5407G onsemi ¥3.46000 类似

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GI858-E3/54

型号:GI858-E3/54

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

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