货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥30.847687 | ¥30.85 |
10 | ¥27.672153 | ¥276.72 |
100 | ¥22.669258 | ¥2266.93 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Nexperia(安世) |
系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 80 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4.5 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.1V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 92.1 nC @ 5 V |
Vgs(最大值): | ±10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 15340 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 324W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D2PAK |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 800 |
BUK964R7-80E,118
型号:BUK964R7-80E,118
品牌:Nexperia安世
描述:MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
库存:0
单价:
1+: | ¥30.847687 |
10+: | ¥27.672153 |
100+: | ¥22.669258 |
800+: | ¥19.297746 |
1600+: | ¥17.437746 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥30.85