RJP65T54DPM-A0#T2

制造商编号:
RJP65T54DPM-A0#T2
制造商:
Renesas瑞萨
描述:
IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
规格说明书:
RJP65T54DPM-A0#T2说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Renesas(瑞萨)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
IGBT 类型: 沟道
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.68V @ 15V,30A
功率 - 最大值: 63.5 W
开关能量: 330µJ(开),760µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 72 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 35ns/120ns
测试条件: 400V,30A,10 欧姆,15V
工作温度: 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: SC-94
供应商器件封装: TO-3PFP
标准包装: 1

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RJP65T54DPM-A0#T2

型号:RJP65T54DPM-A0#T2

品牌:Renesas瑞萨

描述:IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP

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