APTC60DDAM35T3G

制造商编号:
APTC60DDAM35T3G
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3
规格说明书:
APTC60DDAM35T3G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
12 1004.046002 12048.55

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 72A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 @ 72A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 5.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 518nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 14000pF @ 25V
功率 - 最大值: 416W
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP3
供应商器件封装: SP3
标准包装: 1

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APTC60DDAM35T3G

型号:APTC60DDAM35T3G

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3

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