STGP30M65DF2

制造商编号:
STGP30M65DF2
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 650V 30A TO-220AB
规格说明书:
STGP30M65DF2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 28.833449 28.83
10 25.886693 258.87
100 21.207319 2120.73

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V @ 15V,30A
功率 - 最大值: 258 W
开关能量: 300µJ(开),960µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 80 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 31.6ns/115ns
测试条件: 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 140 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220
标准包装: 50

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STGP30M65DF2

型号:STGP30M65DF2

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT 650V 30A TO-220AB

库存:0

单价:

1+: ¥28.833449
10+: ¥25.886693
100+: ¥21.207319
500+: ¥18.053444
1000+: ¥17.954896

货期:1-2天

+ -

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