货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥9.834954 | ¥9.83 |
25 | ¥8.089778 | ¥202.24 |
100 | ¥7.457655 | ¥745.77 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Microchip(微芯) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 350 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120mA(Tj) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 0V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 25 欧姆 @ 120mA,0V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | - |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 300 pF @ 25 V |
FET 功能: | 耗尽模式 |
功率耗散(最大值): | 1W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-92(TO-226) |
封装/外壳: | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
标准包装: | 2,000 |
DN2535N3-G-P003
型号:DN2535N3-G-P003
品牌:Microchip微芯
描述:MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
库存:0
单价:
1+: | ¥9.834954 |
25+: | ¥8.089778 |
100+: | ¥7.457655 |
2000+: | ¥7.457767 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.83