DN2535N3-G-P003

制造商编号:
DN2535N3-G-P003
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
规格说明书:
DN2535N3-G-P003说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 9.834954 9.83
25 8.089778 202.24
100 7.457655 745.77

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 350 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 欧姆 @ 120mA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 300 pF @ 25 V
FET 功能: 耗尽模式
功率耗散(最大值): 1W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-92(TO-226)
封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
标准包装: 2,000

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DN2535N3-G-P003

型号:DN2535N3-G-P003

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET N-CH 350V 120MA TO92

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1+: ¥9.834954
25+: ¥8.089778
100+: ¥7.457655
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