SI1036X-T1-GE3

制造商编号:
SI1036X-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2 N-CH 30V 610MA SC89-6
规格说明书:
SI1036X-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.202547 4.20
10 3.389391 33.89
100 2.30593 230.59

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 610mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 540 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 36pF @ 15V
功率 - 最大值: 220mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SC-89-6
标准包装: 3,000

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SI1036X-T1-GE3

型号:SI1036X-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2 N-CH 30V 610MA SC89-6

库存:0

单价:

1+: ¥4.202547
10+: ¥3.389391
100+: ¥2.30593
500+: ¥1.729236
1000+: ¥1.296983
3000+: ¥1.188886
6000+: ¥1.116833

货期:1-2天

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