PD20010TR-E

制造商编号:
PD20010TR-E
制造商:
ST意法半导体
描述:
TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
规格说明书:
PD20010TR-E说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
晶体管类型: LDMOS
频率: 2GHz
增益: 11dB
电压 - 测试: 13.6 V
额定电流(安培): 5A
噪声系数: -
电流 - 测试: 150 mA
功率 - 输出: 10W
电压 - 额定: 40 V
封装/外壳: PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
供应商器件封装: PowerSO-10RF(成形引线)
标准包装: 600

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
VRF141 Microchip Technology ¥537.88000 类似
MMBFJ211 onsemi ¥3.30000 类似
BLF2425M9LS140U Ampleon USA Inc. ¥765.74000 类似
BLS9G2735LS-50U Ampleon USA Inc. ¥734.71000 类似
BLS9G2729L-350U Ampleon USA Inc. ¥1,791.20000 类似

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PD20010TR-E

型号:PD20010TR-E

品牌:ST意法半导体

描述:TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM

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