- 制造商编号：
- NTTFS010N10MCLTAG
- 制造商：
- ON安森美
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
- 规格说明书：
- NTTFS010N10MCLTAG说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.096159 | ￥17.10 |
| 10 | ￥15.268424 | ￥152.68 |
| 100 | ￥11.905143 | ￥1190.51 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | PowerTrench® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10.7A（Ta），50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 10.6 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V @ 85µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 30 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2150 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值）: | 2.3W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 标准包装: | 1,500 |
NTTFS010N10MCLTAG
型号：NTTFS010N10MCLTAG
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥17.096159 |
| 10+： | ￥15.268424 |
| 100+： | ￥11.905143 |
| 500+： | ￥9.834631 |
| 1500+： | ￥8.234666 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.10