库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥35.423241 | ￥35.42 |
| 10 | ￥31.853563 | ￥318.54 |
| 100 | ￥26.098063 | ￥2609.81 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | STripFET™ II |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 6.5 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 136 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4850 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 300W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRFB3206PBF | Infineon Technologies | ¥20.43000 | 类似 |
| AUIRF3205 | Infineon Technologies | ¥25.73000 | 类似 |
| AUIRF3305 | Infineon Technologies | ¥38.63000 | 类似 |
| IRL2505PBF | Infineon Technologies | ¥21.50000 | 类似 |
| IPP80N06S407AKSA2 | Rochester Electronics, LLC | ¥4.46306 | 类似 |
STP80NF55L-06
型号：STP80NF55L-06
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
库存：0
单价：
| 1+： | ￥35.423241 |
| 10+： | ￥31.853563 |
| 100+： | ￥26.098063 |
| 500+： | ￥22.216427 |
| 1000+： | ￥21.29183 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥35.42